Durch die Hochvolt-Ionenimplantation kann PREMA verschiedene Photodioden-Typen mit unterschiedlichen spektralen Empfindlichkeiten anbieten. Wenn nicht anders angegeben, handelt es sich bei den angebotenen Photodioden um den Typ I.
Da die gängigen Herstellverfahren der Halbleitertechnologie zur Verfügung stehen, können Photodioden mit geringsten Abständen nebeneinander platziert werden. (Photodiodenarrays)
Für die Anwendung mit höheren Frequenzen stehen spezielle Layoutvarianten mit reduzieren Dioden-Kapazitäten (< 25 pF/mm²) zur Verfügung. Mit weniger als 100 pA werden sehr geringe Dunkelströme bei einer angelegten Sperrspannung von 10 V erreicht.
Drahloses Retina Implantat elektro-stimuliert Ganglien Zellen
Wafer mit PREMA Photodioden bestehend aus pn-Übergängen nahe der Waferoberfläche werden rückseitig auf 20 µm, 35 µm, 60 µm und 100 µm abgeschliffen. Es wurde die spektrale Empfindlichkeit von vereinzelten rückseitenbeleuchteten Photodioden gemessen. Eine Metallabdeckung, die die Photonen reflektiert anstatt absorbiert, erhöht die Empfindlichkeit auf bis zu 0,18 A/W.
Das Retina-Implantat besteht aus in ein Foliensubstrat eingebetteten gedünnten Fotodioden. Während das Licht von der Rückseite in die Fotodiode gelangt, werden die Kontaktflächen auf der Oberseite zur Elektro-Stimulation der Ganglienzellen verwendet.
PREMA IC PR5001
Die Zweifach-Photodiode PR5001 weist eine weiten Bereich spektraler Empfindlichkeit von 450 bis 950 nm auf, bei maximaler Empfindichkeit bei 800 nm. Das kleine DFN-Gehäuse (1,8 mm x 2,9 mm) enthält dabei lichtempfindliche Flächen von zweimal 0,75 mm x 1.20 mm. Der Photodiodenstrom wird über getrennte Kathoden und eine gemeinsame Anode herausgeführt.
ANWENDUNGEN:
PREMA IC PR5001-IR
Ein IR-transparentes und gleichzeitiges schwarzes ODFN-Gehäuse ermöglicht eine spektrale Empfindlichkeit der Silizium-Photodioden von 700 bis 1100 nm. Ohne signifikante Empfindlichkeit im sichtbaren Bereich ist PR5001-IR damit geeignet um nahe-infrarote Strahlung zu detektieren.
PREMA IC PR5010
PR5010 ist eine Silizium-Photodiode bestehend aus zwei symmetrischen Anoden und einer gemeinsamen Kathode mit spektraler Empfindlichkeit für sichtbares Licht. Die Kathode bildet gemeinsam mit dem Substrat eine weitere Photodiode, die sensitiv für infrarotes Licht ist. Eigenschaften wie niedrige Dunkelströme, hohe Empfindlichkeiten und eine Antireflexschicht auf dem Chip sind von Bedeutung. PR5010 ist verfügbar in einem optischen DFN-Gehäuse mit geringem Formfaktor.
PREMA IC PR5020/21
PR5020 und PR5021 beinhalten jeweils 3 Phototdioden, die mit einer einzelnen Kathode und einer gemeinsamen Anode herausgeführt sind. Damit lassen sich 3 Bereiche bzw. 2 Übergänge auflösen. Beide Typen sind symmetrisch mit einer breiten und einer schmalen Photodiode in der Mitte des Chips aufgebaut. Beide Typen weisen einen geringen Dunkelstrom und eine hohe spektrale Empfindlichkeit auf. Die Chips sind in einem kompakten, transparenten DFN Gehäuse erhältlich.
PREMA IC PR5030
PR5030 ist eine Doppel-Photodiode mit zwei separaten Kathoden und einer gemeinsamen Anode. Jede Photodiode hat eine dreieckige Form, so dass sich deren Grenzfläche entlang der Diagonalen des Chips befindet. Damit erlauben die zwei Segmente die Position eines darüber liegenden Lichtspalts oder einer Kante aufzulösen.
PREMA IC PR5040
PR5040 ist eine einzelne Photodiode in rechteckiger Form mit den identischen Außenmaßen wie die segmentierten Typen PR5010-PR5030. Die Photodiode hat einen niedrigen Dunkelstrom kombiniert mit einer hohen spektralen Empfindlichkeit. Die Chips sind in einem kompakten, transparenten DFN Gehäuse erhältlich.