PREMA Semiconductor GmbH
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1970 Gründungsjahr, Entwicklung und Produktion von digitalen Messgeräten. Eigene patentierte, hochauflösende A/D-Wandlungsverfahren
1977 Gründung des Geschäftsbereichs Halbleiter. Aufbau einer eigenen Waferfertigung, ASIC-Design, Maskentechnologie
1981 ASIC-Fertigung in Bipolartechnik auf 75 mm-Wafern für analoge, digitale und gemischt analog-digitale Schaltungen. Einsatz in Konsumgütern, Sensorik, Industrieelektronik, Automobilelektronik
1988-1996 Realisierung einer neuen Waferfertigungslinie nach dem lokalen Reinraum-Konzept der SEMIC-Zellen. E-Beam-Maskshop.
1991 Bezug eines neuen Unternehmensgebäudes mit 8000 m² Produktionsfläche
1996 Start der 150mm-Waferfertigung
1997 Weitere Waferfertigungstechnologien für ModuS-ASICs. Modernste Niedertemperatur- Fertigungsprozesse.
1999 Universeller ModuS U6-ASIC-Prozess, der neue Maßstab für Hochleistungs-Analog- & Mixed-Signal-Prozesse
2004 Weitere ModuS U6 Highlights:
130 V npn- und pnp-Hochvolt-Transistoren
2005 Aufbau BiCMOS, 200mm-Waferfertigung
2006 Qualifizierung 0,6 µm BiCMOS, 200mm-Waferfertigung

ca. 70 Mitarbeiter, überwiegend Ingenieure und Physiker