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| 1970 |
Gründungsjahr,
Entwicklung und Produktion von digitalen Messgeräten. Eigene
patentierte, hochauflösende A/D-Wandlungsverfahren |
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| 1977 |
Gründung des Geschäftsbereichs Halbleiter.
Aufbau einer eigenen Waferfertigung, ASIC-Design, Maskentechnologie |
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| 1981 |
ASIC-Fertigung in
Bipolartechnik auf 75 mm-Wafern für analoge, digitale und gemischt
analog-digitale Schaltungen. Einsatz in Konsumgütern, Sensorik, Industrieelektronik,
Automobilelektronik |
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| 1988-1996 |
Realisierung einer neuen Waferfertigungslinie nach dem
lokalen Reinraum-Konzept
der SEMIC-Zellen. E-Beam-Maskshop. |
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| 1991 |
Bezug eines neuen Unternehmensgebäudes mit 8000 m² Produktionsfläche |
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| 1996 |
Start der 150mm-Waferfertigung |
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| 1997 |
Weitere Waferfertigungstechnologien für ModuS-ASICs. Modernste Niedertemperatur- Fertigungsprozesse. |
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| 1999 |
Universeller ModuS U6-ASIC-Prozess, der neue Maßstab für Hochleistungs-Analog- & Mixed-Signal-Prozesse |
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| 2004 |
Weitere ModuS U6
Highlights:
130 V npn- und pnp-Hochvolt-Transistoren |
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| 2005 |
Aufbau BiCMOS,
200mm-Waferfertigung |
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| 2006 |
Qualifizierung 0,6
µm BiCMOS,
200mm-Waferfertigung
ca. 70 Mitarbeiter, überwiegend Ingenieure und Physiker |
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