Hochempfindliche Phototransistoren für sichtbares Licht
	PREMA ASICs Anwendungsbeispiele Ihr Weg zum ASIC Integration, Ihr Vorteil ASIC-DESIGN ASIC-Funktionen Chip-Design-Werkzeuge IC-Design-Schulungen WAFER-PRODUKTION ModuS U6-ASIC-Prozess SEMIC-Reinraumkonzept Qualitätssicherung PREMA SEMICONDUCTOR Über uns Presse Die Stadt Mainz Impressum KONTAKT Unterlagen anfordern Distributoren Anfahrtsplan Stellenangebote	Hochempfindliche Phototransistoren für sichtbares Licht lassen sich kostengünstig und ohne zusätzliche Prozessebenen mit dem Hochvoltprozess ModuS U6 von PREMA in Mixed-Signal-ASICs integrieren. Die Phototransistoren LS21 und LS31 bieten eine spektrale Empfindlichkeit mit einem Maximum im sichtbaren Bereich bei etwa 610 nm. Der LS21 basiert auf einem Super-Beta-Transistor mit hoher Verstärkung, wodurch eine hohe Empfindlichkeit auch bei kleinsten Lichtsignalen erreicht wird. Die spektrale Empfindlichkeit bei 610 nm beträgt etwa 540 A/W. Der LS31 basiert auf einem Standardtransistor mit einer Empfindlichkeit von 70 A/W. Beide Phototransistoren zeigen selbst bei kleinen zu detektierenden Lichtstärken eine sehr gute Linearität.   Datenblatt Phototransistoren             PDF Der Lichtsensor SE15L ist eine Kombination aus vier LS21 und einer Differenzstufe. Hier werden vier Phototransistoren in einer Quadsplitanordnung platziert, um einen optimalen Gleichlauf aller Transistoren zu garantieren. Zwei diagonal gegenüberliegende Transistoren sind mit Metall abgedeckt. Diese Differenzstufe verstärkt somit den zur Lichtstärke proportionalen Strom abzüglich des Dunkelstroms. Sehr kleine Lichtstärken von unter 1 Lux lassen sich mit dem SE15L selbst bei Chiptemperaturen von 120°C noch sehr gut nachweisen. Mit diskreten Elementen wäre eine Kompensation des Dunkelstroms nur begrenzt möglich, da der Gleichlauf der einzelnen Phototransistoren in der Regel wesentlich schlechter ist. Im ModuS U6 Prozess für kundenspezifische Schaltkreise lassen sich Phototransistoren kostengünstig herstellen. Denn selbst bei großen lichtempfindlichen Flächen ist die Zahl der Defekte sehr klein und somit die Ausbeute hoch. Durch Verwendung von Super-Beta-Transistoren läßt sich eine hohe Empfindlichkeit mit vergleichsweise kleiner Fläche erreichen. Die Kombination aus Fotosensor und analog/digitaler Auswerteschaltung auf einem Chip ermöglicht einen hohen Grad an Systemintegration und eignet sich damit für zahlreiche Anwendungen, z.B. in Konsumeranwendungen oder im Automotive-Bereich.